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すてきなクリーン ルームはなぜ湿気を制御しなければなりませんか。

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すてきなクリーン ルームはなぜ湿気を制御しなければなりませんか。

すてきなクリーン ルームはなぜ湿気を制御しなければなりませんか。

 

湿気はクリーンルームの操作の共通の環境管理の状態です。半導体のクリーン ルームの相対湿度の目標値は30から50%の範囲に制御され、photolithographic区域のような±1%の狭い範囲の内であるために、あるように間違いが-また更にずっと紫外処理の(DUV)区域でより小さいします。±5%の内で-他の場所、で…に緩むことができます。

相対湿度にクリーン ルームの全面的な性能に貢献するかもしれないいくつかの要因があるので下記のものを含んでいること:

●の細菌の成長;

●スタッフが室温で感じる慰めの範囲;

●の静電気は現われます;

●の金属の腐食;

●の水蒸気の凝縮;

石版印刷の●の低下;

●の吸水。

 

細菌および他の生物的汚染物(型、ウイルス、菌類、ダニ)は60%の上の相対湿度の環境で積極的に増加できます。植物相は相対湿度が30%を超過するとき育つことができます。相対湿度が40%と60%の間にあるとき、細菌および呼吸の伝染の効果は最小にすることができます。

 

40%から60%の範囲の相対湿度はまた人間が快適に感じる適度な範囲です。余分な湿気は人々を落ち込んだ、30%の下の湿気は乾燥している、荒らされて感じさせる人々をことができるが、呼吸の不快および感情的な不快に感じさせますことができます。

高湿度は実際にクリーン ルームの表面の静電気の蓄積を減らします-これは望ましい結果です。低い湿気は静電放電の充満蓄積そして可能性としては有害なもとのためにより適しています。相対湿度が50%を超過するとき、静電気は急速に散り始めますが相対湿度が30%よりより少しのとき、絶縁体か根拠が無い表面で長い間主張してもいいです。

35%と40%間の相対湿度は満足のいく妥協である場合もあり半導体のクリーンルームは普通静電気の蓄積を限るのに付加的な制御を使用します。

 

多くの化学反応の速度は、腐食プロセスを含んで、相対湿度が増加するように増加します。クリーン ルームを囲む空気--にさらされるすべての表面は水の少なくとも1つの単一層ですぐにカバーされます。これらの表面が水と反応できる薄い金属コーティングで構成されるとき高湿度は反作用を加速できます。幸いにも、ある金属は、アルミニウムのような、水が付いている保護酸化物を形作り、それ以上の酸化反作用を防ぐことができます;しかしもう一つの場合は、銅酸化物のような、保護ではないです、従って高湿度の環境に、銅の表面は腐食により敏感です。

 

さらに、高い相対湿度の環境で、光硬化性樹脂は湿気の吸収によるベーキング周期の後で拡大され、加重されます。光硬化性樹脂の付着はまたより高い相対湿度によって否定的に影響されることができます;相対湿度(約30%)をもっと簡単にします光硬化性樹脂の付着を、重合体の修飾語のための必要性なしで下げて下さい。

半導体のクリーン ルームの制御の相対湿度は任意ではないです。但し、時間は変わるので、公有地の理由そして基礎、一般に認められた練習を見直すことが最善です。

 

私達の人間の慰めのために特に顕著である頻繁に特に湿気が高い、湿気は頻繁にクリーン ルームの温度および湿気制御でなぜの最も悪い制御、湿気好まれますです工程の大きい影響があり。

 

パブの時間 : 2020-06-06 19:55:11 >> ニュースのリスト
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